جزئیات جدید از توزیع سبد کالای رایگان درب منزل
از نخستوزیری امام (ره) تا پژواک پهلوی| بیانیهای برای «هیچ»
پیام صریح تهران به کاخ سفید از کانال آنکارا
خطای محاسباتی در اتاقهای فکر واشنگتن
حافظه سهبعدی اینتل هزار برابر سریعتر اطلاعات را ذخیره میکند
به گزارش گروه علم و فناوری آنا به نقل از Engadget، این تراشههای جدید به زودی انقلابی در سرعت ابزارهای الکترونیک همانند گوشیهای همراه و لپتاپهای SSD (درایو حالت جامد) تا دستگاههای توالیدهنده ژنومها و ابرکامپیوترها ایجاد خواهند کرد.
حافظه غیر فرار (Non-volatile memory) حافظهای است که اطلاعات آن با قطع شدن برق از بین نرود و بتواند اطلاعات را در حالت نبود برق هم حفظ کند. از انواع حافظههای غیر فرار میتوان حافظه فقط خواندنی، حافظه فلش، افرم، انواع دستگاههای ذخیرهسازی مغناطیسی مانند دیسک سخت، فلاپی دیسک، نوار مغناطیسی، دیسک نوری و انواع اولیه رسانههای ذخیرهسازی مانند کارت پانچ و نوار پانچ را نام برد.
حافظههای غیرفرار معمولا به عنوان حافظه ثانویه و برای ذخیره کردن طولانی مدت دادهها استفاده میشوند.
این تراشه جدید از ترانزیستورهایی که هسته اصلی حافظههای فلش را تشکیل میدهند، ساخته نشده است. در عوض، موادی که هر سلول حافظه Xpoint را تشکیل میدهد، میتواند ویژگیهای فیزیکی خود را تغییر دهد و مقاومت الکتریکیاش را زیاد و کم کند تا بتواند به ترتیب عدد یک و صفر را نمایش دهد.
علاوه بر این، لایههای چندگانه سلولهای این تراشه با الگوی خاص سهبعدی در کنار هم قرار گرفتهاند تا به هر کدام از سلولها به تنهایی بتوانند دادهها را سازماندهی کرده و خاصیت ذخیرهسازی دوباره داشته باشند.
مترجم: نسترن صائبی
انتهای پیام/
