سامسونگ تراشه حافظه با پهنای باند بالا می‌سازد

به گزارش خبرگزاری علم و فناوری آنا به نقل از رویترز، شرکت سامسونگ در حال برنامه‌ریزی برای استفاده از فناوری جدید در ساخت تراشه‌های پیشرفته است که در حوزه هوش مصنوعی کاربرد دارند.

سامسونگ در صدد پیشی گرفتن از دو رقیب جدی خود اس‌کی هینکس (SK Hynix) و مایکرون تکنولوژی (MicronTechnology) است که قبلاً با انویدیا، پیشتاز ساخت تراشه‌های هوش مصنوعی، برای عرضه جدیدترین «تراشه‌های حافظه با پهنای باند بالا» قرارداد‌هایی بسته‌اند. بازده تولید نسل سوم تراشه‌های حافظه با پهنای باند بالا توسط سامسونگ حدود ۱۰ تا ۲۰ درصد است که بسیار کمتر از اس‌کی هینکس است که نرخ بازدهی حدود ۶۰ تا ۷۰ درصد را در تولید تراشه‌های حافظه با پهنای باند بالا خود دارد.

یکی از دلایل کاهش بازدهی سامسونگ استفاده مداوم آن از فناوری «فیلم غیر رسانا» است که باعث برخی مشکلات تولید می‌شود. در مقابل، اس‌کی هینکس به روش پر کردن مجدد و جرمی برای قالب‌گیری (MR-MUF) روی آورده است که نقاط ضعف «فیلم غیر رسانا» را ندارد. سامسونگ اخیراً سفارش خرید تجهیزات ساخت تراشه را صادر کرده است که برای استفاده از تکنیک پر کردن و قالب‌گیری مجدد طراحی شده است و گام مهمی در راستای افزایش بازده تولید تراشه‌های حافظه با پهنای باند بالا است. با این حال، گمانه‌زنی‌ها بر آن است که سامسونگ از هر دو تکنیک برای تراشه جدید خود استفاده خواهد کرد.

عقب‌نشینی سامسونگ در رقابت تراشه‌های هوش مصنوعی برای سرمایه‌گذاران قابل توجه بوده است، به‌طوری‌که سهام آن در سال جاری میلادی ۷ درصد سقوط کرد و از دو رقیب جدی خود، اس کی هینکس و مایکرون تکنولوژی که به ترتیب ۱۷ و ۱۴ درصد رشد داشتند، عقب ماند.

انتظار می‌رود در سال ۲۰۲۴ به دلیل گسترش کاربرد‌های هوش مصنوعی، تقاضا در بازار تراشه‌های حافظه با پهنای باند بالا بیش از دو برابر شود و به ۹ میلیارد دلار برسد.