صفحه نخست

آموزش و دانشگاه

علم‌وفناوری

ارتباطات و فناوری اطلاعات

ورزش

سلامت

پژوهش

سیاست

اقتصاد

فرهنگ‌ و‌ جامعه

علم +

عکس

فیلم

استانها

بازار

اردبیل

آذربایجان شرقی

آذربایجان غربی

اصفهان

البرز

ایلام

بوشهر

تهران

چهارمحال و بختیاری

خراسان جنوبی

خراسان رضوی

خراسان شمالی

خوزستان

زنجان

سمنان

سیستان و بلوچستان

فارس

قزوین

قم

کردستان

کرمان

کرمانشاه

کهگیلویه و بویراحمد

گلستان

گیلان

لرستان

مازندران

مرکزی

هرمزگان

همدان

یزد

هومیانا

پخش زنده

دیده بان پیشرفت علم، فناوری و نوآوری
۱۴:۵۴ - ۰۸ شهريور ۱۴۰۲

ساخت دستگاه تحریک غیرتهاجمی نواحی مغز به روش الکتریکی

ساخت دستگاه تحریک غیرتهاجمی نواحی عمیق مغز به روش الکتریکی توسط محققان کشور کلید خورد.
کد خبر : 865934

به گزارش خبرگزاری علم و فناوری آنا، در نشستی که برای بررسی پیشرفت اجرای این طرح فنی و تحقیقاتی، با حضور مشاور عالی، معاون فناوری و زیرساخت و کارشناسان ستاد توسعه علوم و فناوری‌های شناختی، برگزار شد، محمد نشاط مدیر گروه مخابرات و عضو هیئت علمی دانشکده فنی دانشگاه تهران، گفت: مراحل طراحی و ساخت دستگاه تحریک غیر تهاجمی نواحی عمقی مغز از حدود دو سال پیش با حمایت این ستاد و تلاش و همکاری یک تیم هفت نفری فنی و تحقیقاتی در این دانشکده آغاز شده است.

این طرح در حال حاضر با پیشرفت قابل ملاحظه‌ای در حال اجرا است و تاکنون بخش اعظم طرح و ساخت ابزار‌ها و تجهیزات مورد نیاز این دستگاه به اتمام رسیده است و مراحل شبیه‌سازی و انجام آزمایش‌های الکتریکی و بهینه‌سازی چینش الکترود‌ها با موفقیت انجام و نتایج مثبتی نیز حاصل شده است.

وی، با بیان اینکه مدل‌سازی فانتوم سر میمون و روش ثبت الکتریکی تحریک عمقی مغز انجام شده، ابراز امیدواری کرد با تکمیل فرآیند اجرای این طرح فنی‌تحقیقاتی، در مرحله نخست آزمایش حیوانی دستگاه آغاز شود.

انتهای پیام/

ارسال نظر