صفحه نخست

آموزش و دانشگاه

علم‌وفناوری

ارتباطات و فناوری اطلاعات

ورزش

سلامت

پژوهش

سیاست

اقتصاد

فرهنگ‌ و‌ جامعه

علم +

عکس

فیلم

استانها

بازار

اردبیل

آذربایجان شرقی

آذربایجان غربی

اصفهان

البرز

ایلام

بوشهر

تهران

چهارمحال و بختیاری

خراسان جنوبی

خراسان رضوی

خراسان شمالی

خوزستان

زنجان

سمنان

سیستان و بلوچستان

فارس

قزوین

قم

کردستان

کرمان

کرمانشاه

کهگیلویه و بویراحمد

گلستان

گیلان

لرستان

مازندران

مرکزی

هرمزگان

همدان

یزد

هومیانا

پخش زنده

دیده بان پیشرفت علم، فناوری و نوآوری
۰۹:۳۹ - ۱۸ شهريور ۱۳۹۴

چاپ مقاله عضو هیات علمی واحد تهران مرکزی در مجله ISI

«بهبود قابلیت اطمینان شبکه بنس (Benes) برای استفاده در سیستم‌هایی با سایز بزرگ» عنوان مقاله دکتر محسن جهانشاهی عضو هیات علمی دانشکده فنی و مهندسی است که در مجله Microelectronics Reliability ( متعلق به انتشارات Elsevier) با ضریب تاثیر 433/1 به چاپ رسیده است.
کد خبر : 37702

به گزارش خبرنگار خبرگزاری آنا، در چکیده مقاله جهانشاهی عضو هیات علمی گروه کامپیوتر دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی آمده است: سیستم‌هایی با توان محاسباتی بالا به منظور حل مسائل پیچیده بصورت کارا، معمولا از یک تعداد زیادی از عناصر پردازشی ساخته شده‌اند. برای رسیدن به این هدف، این عناصر پردازشی باید قادر به ارتباط با یکدیگر باشند که این ارتباط می‌تواند از سوی شبکه‌های میان ارتباطی تامین شود.


در این میان، شبکه‌های میان ارتباطی چند طبقه، به دلایل کارایی و مقرون به صرفه‌گی، اغلب برای استفاده در این قبیل سیستم‌ها توصیه می‌شوند. با این وجود، یک مشکل اساسی در ساختار اصلی این شبکه‌ها با نام مسدود شوندگی وجود دارد. یک کلاس مهم از شبکه‌های چند طبقه، شبکه‌های غیرمسدود شونده قابل سازماندهی دوباره هستند که می‌توانند به عنوان یک راه‌حل مقرون به صرفه برای مقابله با مسئله مسدود شوندگی استفاده شوند.


شبکه­ بنس (Benes)، یکی از رایج شبکه‌های چندطبقه­ قابل سازماندهی دوباره است که در طول سالیان متمادی مورد توجه محققان زیادی بوده است. ولی هنوز بهبود قابلیت اطمینان در آن یک فاکتور مهمی است که در اغلب سیستم‌ها، به ویژه سیستم‌هایی با سایز بزرگ باید بررسی شود.


محسن جهانشاهی عضو هیات علمی گروه کامپیوتر واحد تهران مرکزی خاطرنشان کرد: این مقاله در سال 2015 با مرتبه ISI در مجله Microelectronics Reliability (Elsevier) به چاپ رسیده است.


انتهای پیام/

ارسال نظر