ساخت نانو LED روی بستر سیلیکونی

به گزارش گروه علم و فناوری آنا به نقل از ستاد ویژه توسعه نانو، فوتونیک یکی از موضوعات بسیار داغ در حوزه تراشه‌ و ابزار‌های روی تراشه است، به ویژه زمانی که ترافیک میان واحدهای سازنده حافظه و پردازشگر افزایش یابد. تاکنون میکروراهنماهای موج، تلفیق‌کننده‌ نور و شناساگرهای نوری با موفقیت با هم ترکیب شده‌اند، اما طراحی منابع نوری میکرومقیاس با چالش روبه‌رو بوده است.
محققان دانشگاه آیندهوون در این تحقیق نشان دادند که می‌توان LEDهای نانومقیاس لایه‌ای روی بستر سیلیکونی تولید کرد. این نانو LED روی سطح سیلیکون با راهنمای موج غشاء InP جفت شده است.
این گروه تحقیقاتی نشان دادند که نانوLED ساخته شده با ساختار نانوستونی، کارایی بسیار بالاتری نسبت به همتایان خود دارد. در دمای پایین، این گروه توانی بالاتر از 50 نانووات، مربوط به 400 فوتون در هر بیت در یک گیگابیت/ثانیه، گزارش کردند. این دستگاه در طول موج‌های مخابراتی (55/1 میکرومتر) با موفقیت با استفاده از یک ژنراتور الگوی پالسی در فرکانس‌های تا پنج گیگاهرتز، تلفیق شد.

طرح شماتیک نانوستون‌های LED روی بستر سیلیکونی

محققان این پروژه می‌گویند: «با این فناوری جدید می‌توان هدر رفت را در فواصل کم کاهش داد و با توسعه بیشتر این فناوری امکان کوچک‌تر کردن منبع نوری وجود خواهد داشت».
این گروه تحقیقاتی یک روش غیرفعال‌سازی سطحی ارائه کردند که می‌تواند کارایی نانو LEDها را 100 برابر افزایش دهد، در حالی که مصرف انرژی در آنها کاهش می‌یابد؛ این کار با بهبود تماس‌های اهمی صورت می‌گیرد.