انویدیا نتوانست TSMC را به تولید حافظه سهبعدی ترغیب کند
به گزارش خبرگزاری آنا؛ رشد سریع دیتاسنترهای هوش مصنوعی، تقاضا برای حافظههای پیشرفته را بهشدت افزایش داده و کمبود عرضه در بازار جهانی، قیمت این قطعات را نیز بالا برده است. در چنین شرایطی، انویدیا که یکی از بزرگترین مصرفکنندگان تراشههای حافظه و مشتریان TSMC به شمار میرود، ظاهراً از این شرکت خواسته است امکان تولید حافظه سهبعدی یا ۳D DRAM را بررسی کند. در پی این درخواست، گزارشهایی از آغاز برنامهریزی اولیه برای ورود به این حوزه منتشر شده که گفته میشود زیر نظر هسو کوئو چین، معاون رئیس شرکت در بخش بستهبندی پیشرفته تراشهها و مدیر سابق فعالیتهای تایوانی میکرون، دنبال میشود. با این حال، این شرکت تایوانی در واکنش به این گزارشها اعلام کرده است که فعالیت اصلی آن تولید قراردادی تراشههای منطقی است و قصد دارد همین مسیر را ادامه دهد. به این ترتیب، ورود به بازار تولید مستقیم حافظه هنوز در حد یک گزارش تأییدنشده باقی مانده است.
حافظه سهبعدی هنوز تا تولید انبوه فاصله دارد
در فناوری فعلی، حافظههای DRAM از سلولهایی تشکیل شدهاند که عمدتاً در یک سطح کنار یکدیگر قرار میگیرند، اما در معماری سهبعدی، این سلولها در چندین لایه روی هم چیده میشوند تا ظرفیت ذخیرهسازی در فضای محدود یک ویفر افزایش پیدا کند. این ساختار میتواند امکان تولید حافظههایی با ظرفیت بیشتر و تراکم بالاتر را فراهم کند، اما ساخت آن به فرایندهای پیچیدهای برای ایجاد لایههای متعدد، کنترل نقصهای تولید و حفظ بازده کارخانه نیاز دارد. در حال حاضر ۳ تولیدکننده بزرگ حافظه جهان، یعنی میکرون، سامسونگ و اسکی هاینیکس، روی توسعه این فناوری کار میکنند؛ با این حال، حتی این شرکتها نیز هنوز به مرحله تولید انبوه نرسیدهاند. برای نمونه، برنامه میکرون شامل توسعه حداقل ۴ نسل دیگر از حافظههای دوبعدی پیش از حرکت به سمت تولید تجاری حافظه سهبعدی است. همین مسئله باعث شده توسعه این فناوری حتی برای بازیگران باسابقه صنعت حافظه نیز پروژهای بلندمدت باشد.
ورود به بازار حافظه به سرمایهگذاری سنگین نیاز دارد
با وجود برخورداری از فناوریهای پیشرفته تولید تراشههای منطقی، این شرکت تجربه و زیرساخت لازم برای ساخت حافظه DRAM را در اختیار ندارد. تولید حافظه به فرایندهای متفاوتی نسبت به ساخت پردازنده نیاز دارد و توسعه نسخه سهبعدی آن نیز بدون برخورداری از دانش فنی و تجربه تولید حافظههای دوبعدی بسیار دشوار خواهد بود. به همین دلیل، حتی اگر برنامه ورود به این بازار آغاز شود، نمیتواند راهکاری برای کمبود فعلی حافظه باشد و احتمالاً دستکم ۵ سال زمان نیاز دارد تا چنین فناوریای به مرحله قابلاستفاده در مقیاس صنعتی برسد. در واقع، افزایش ظرفیت تولید حافظههای موجود و توسعه نسلهای جدید آنها همچنان مسیر اصلی پاسخگویی به نیاز کوتاهمدت بازار خواهد بود.
یکی از راههای احتمالی برای ورود به این صنعت، خرید یک تولیدکننده کوچکتر حافظه و استفاده از زیرساختها و دانش فنی آن است. با این حال، چنین خریدی نیز بهتنهایی مشکل را برطرف نمیکند؛ زیرا تولیدکنندگان کوچک معمولاً به فناوریهای پیشرفته ساخت حافظه دسترسی ندارند و خریدار همچنان باید میلیاردها دلار برای توسعه فرایندهای تولیدی و تحقیق و توسعه هزینه کند. از سوی دیگر، بازار حافظه بهشدت تحت تأثیر چرخههای عرضه و تقاضا قرار دارد. کمبود فعلی معمولاً شرکتها را به افزایش ظرفیت تولید ترغیب میکند، اما توسعه همزمان کارخانهها ممکن است در ادامه به مازاد عرضه و کاهش قیمتها منجر شود. ورود به این بازار همچنین میتواند روابط تجاری با تولیدکنندگان بزرگی مانند اسکی هاینیکس را پیچیده کند؛ شرکتی که از سال ۲۰۲۴ در زمینه تولید تراشههای پایه منطقی برای نسلهای جدید حافظه پهنباند با این سازنده تایوانی همکاری دارد. ترکیب فعالیت در تولید پردازنده، بستهبندی پیشرفته و ساخت حافظه همچنین ممکن است توجه نهادهای نظارتی و رقابتی را به دلیل افزایش تمرکز در زنجیره تأمین جلب کند.
مسیر جایگزین برای بهرهبرداری از بازار حافظه
با وجود این موانع، برای بهرهبرداری از رشد بازار حافظههای پیشرفته لزوماً نیازی به تولید مستقیم DRAM نیست. این شرکت هماکنون میتواند با توسعه تراشههای پایه منطقی برای حافظههای پهنباند (HBM)، یکپارچهسازی حافظه و پردازنده با استفاده از فناوری اتصال ترکیبی تراشهها و طراحی راهکارهای اختصاصی با همکاری تولیدکنندگان حافظه، سهم بیشتری از ارزش این بازار به دست آورد. فناوری SoIC نیز امکان اتصال و یکپارچهسازی چند تراشه را در ساختارهای پیشرفته فراهم میکند و میتواند در توسعه محصولات موردنیاز دیتاسنترهای هوش مصنوعی نقش داشته باشد. همکاری با شرکتهایی مانند GUC و تولیدکنندگان باسابقه حافظه نیز مسیر دیگری برای طراحی راهکارهای اختصاصی متناسب با نیاز مشتریان است. چنین رویکردی به TSMC اجازه میدهد بدون ورود مستقیم به رقابت با تولیدکنندگان حافظه، از افزایش تقاضا برای این قطعات بهره ببرد و هزینههای چندینساله توسعه فناوری تولید DRAM و ساخت کارخانههای جدید را متحمل نشود.
انتهای پیام/