IBM با معماری نوین «نانو انباشته»، نخستین تراشه زیر ۱ نانومتر جهان را معرفی کرد
به گزارش خبرگزاری آنا؛ جی گامبتا، مدیر بخش تحقیقات IBM، در نشست خبری این شرکت اعلام کرد که این دستاورد صرفاً یک گام رو به جلو نیست، بلکه یک جهش بنیادین است که آیندهای با توان پردازشی بسیار بالا بدون افزایش مصرف انرژی را نوید میدهد. با توجه به محدودیتهای فیزیکی حاکم بر جهان مایکرو، ساخت ترانزیستورهایی با ابعاد فیزیکی کوچکتر از ۱ نانومتر عملاً غیرممکن است؛ به همین دلیل، لایسنس زیر ۱ نانومتر در این پروژه به این معنا است که معماری جدید IBM بازدهی و عملکردی معادل این ابعاد فرضی را به نمایش میگذارد، وگرنه نامگذاری گرههای پردازشی سالها است که ارتباط مستقیمی با ابعاد فیزیکی اجزای داخلی تراشه ندارد.
معماری نانو انباشته و ساختار سهبعدی چیدمان ترانزیستورها
مهندسان IBM برای عبور از بنبست فیزیکی کوچکسازی قطعات، معماری «نانو انباشته» را توسعه دادهاند که در آن ترانزیستورها به صورت عمودی و پلکانی روی یکدیگر قرار میگیرند. واحد پایه این معماری از دو ترانزیستور متصلبههم تشکیل شده که هر کدام از آنها شامل سه لایه ورقه نانویی به ضخامت ۵ نانومتر (معادل ۱۵ ردیف از اتمهای سیلیکون) است؛ این ورقهها با فاصله تقریبی ۹ نانومتر از یکدیگر تفکیک شدهاند تا پایداری جریان الکتریکی حفظ شود.
IBM با تکیه بر این ساختار سهبعدی موفق شده است چالش کاهش سرعت رشد حافظههای حافظه دسترسی تصادفی پویا را که در نسلهای ۲ و ۳ نانومتری عملاً متوقف شده بود، حل کند. این کمپانی با پیادهسازی طراحی کانالهای پلکانی در سلولهای حافظه، ارتفاع کلی سلولها را ۴۰ درصد کاهش داده است؛ امری که با افزایش چشمگیر پهنای باند و فشردهسازی بیشتر حافظه در فضای ثابت تراشه، بازدهی سیستم را در پردازش بارهای کاری سنگین هوش مصنوعی به شدت ارتقا میدهد.
نقشه راه تجاریسازی تراشههای نسل جدید در صنایع جهانی
گزارشهای منتشرشده نشان میدهند که معماری نانو انباشته در مقایسه با تراشههای ۲ نانومتری فعلی، نویدبخش ۵۰ درصد توان پردازشی بالاتر یا ۷۰ درصد صرفهجویی بیشتر در مصرف انرژی است. از آنجایی که IBM یک مرکز تحقیقاتی است و کارخانه تولید انبوه ندارد، همواره دستاوردهای خود را از طریق مشارکت با غولهای نیمههادی تجاریسازی میکند؛ همانطور که در نسل ۲ نانومتری با شرکت راپیدوس ژاپن و سامسونگ کره جنوبی وارد همکاری شد و شرکت TSMC تایوان نیز به صورت مستقل از ایده ورقههای نانویی آن الگوبرداری کرد.
مدیران ارشد بخش نیمههادی IBM ضمن خودداری از نام بردن از شرکای تجاری جدید خود، اعلام کردند که ترانزیستورهای نانو انباشته تا پنج سال آینده وارد فاز تولید اولیه شده و حداکثر ظرف یک دهه آینده، به طور کامل جایگزین فناوریهای فعلی خواهند شد. این معماری نوین در آینده نزدیک به عنوان استاندارد اصلی و قالب حاکم بر خطوط تولید انواع پردازندههای مرکزی و تراشههای گرافیکی در بزرگترین کارخانههای جهان بهکار گرفته خواهد شد تا پایداری و شتاب توسعه پردازشهای هوشمند را در سطح جهان تضمین کند.
انتهای پیام/